PBSS8110X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBSS8110X
参数属性	PBSS8110X 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 1A SOT89
功能描述	100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
封装外壳	TO-243AA
文件大小	148.26 Kbytes
页面数量	15 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-12-14 13:30:00
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General description

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) SMD plastic package.

PNP complement: PBSS9110X.

特性 Features

■ SOT89 package

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability: IC and ICM

■ High efficiency leading to less heat generation

Applications

■ Major application segments:

◆ Automotive 42 V power

◆ Telecom infrastructure

◆ Industrial

■ Peripheral driver:

◆ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

◆ Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

■ DC-to-DC converter

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