PBSS8110D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS8110D |
| 参数属性 | PBSS8110D 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 1A 6TSOP |
| 功能描述 | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT457 / SC-74，SOT-457 |
| 文件大小 |
286.32 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 20:00:00 |
| 人工找货 | PBSS8110D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS8110D规格书详情
特性 Features
* SOT457 package
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High efficiency, leading to less heat generation
产品属性
- 产品编号：
PBSS8110D,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 250mA，10V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
6000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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SOT457 |
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恩XP |
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NA |
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恩XP |
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SOT23-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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NA |
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恩XP |
24+ |
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恩XP |
24+ |
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