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PBSS8110D	文件：286.32 Kbytes Page：13 Pages	Marking：A8；Package：SOT457；100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features SOT457package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiency,leadingtolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110D	文件：97.81 Kbytes Page：12 Pages	100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT457(SC-74)package. Features ■SOT457package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D_15	文件：172.51 Kbytes Page：12 Pages	100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 1A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS8110S	文件：54.37 Kbytes Page：7 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatBISStransistorinaSOT54plasticpackage. FEATURES •SOT54package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration. APPLICATIONS •Automotive42Vpower •Tel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：133.67 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circ	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：1.38886 Mbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110T-Q	文件：281.57 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Qualifiedacc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS8110D
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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