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PBSS5580PA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5580PA |
| 参数属性 | PBSS5580PA 封装/外壳为3-PowerUDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 4A 3HUSON |
| 功能描述 | 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | HUSON3 / 3-PowerUDFN |
| 文件大小 |
289.16 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS5580PA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5580PA规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.
NPN complement: PBSS4580PA.
Features and benefits
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
■ Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
■ Leadless small SMD plastic package with medium power capability
Applications
■ Loadswitch
■ Battery-driven devices
■ Power management
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
产品属性
- 产品编号：
PBSS5580PA,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
420mV @ 200mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-PowerUDFN
- 供应商器件封装：
3-HUSON（2x2）
- 描述：
TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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标准封装 |
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