PBSS5480X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5480X |
| 参数属性 | PBSS5480X 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 4A SOT89 |
| 功能描述 | 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
114.22 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 18:21:00 |
| 人工找货 | PBSS5480X价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5480X规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) plastic package.
NPN complement: PBSS4480X.
FEATURES
• High hFE and low VCEsat at high current operation
• High collector current IC: 4 A
• High efficiency leading to less heat generation.
APPLICATIONS
• Medium power peripheral drivers (e.g. fans and motors)
• Strobe flash units for digital still cameras and mobile
phones
• Inverter applications (e.g. TFT displays)
• Power switch for LAN and ADSL systems
• Medium power DC-to-DC conversion
• Battery chargers.
产品属性
- 产品编号：
PBSS5480XZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
380mV @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-89 |
7850 |
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恩XP |
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SOT89 |
4000 |
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恩XP |
24+ |
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30000 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-89 |
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SOT-223 |
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Nexperia/安世 |
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NEXPERIA |
24+ |
N/A |
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