首页>PBSS5420D>规格书详情

PBSS5420D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5420D
厂商型号

PBSS5420D

参数属性

PBSS5420D 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 4A 6TSOP

功能描述

20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

文件大小

124.01 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-6-22 11:30:00

人工找货

PBSS5420D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBSS5420D规格书详情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4420D

Features

■ Very low collector-emitter saturation resistance

■ Ultra low collector-emitter saturation voltage

■ 4 A continuous collector current

■ Up to 15 A peak current

■ High efficiency leading to less heat generation

Applications

■ Power management functions

■ Charging circuits

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Power switches (e.g. motors, fans)

■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5420D,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    420mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 4A 6TSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
23+
SOT457
50000
原装正品 支持实单
询价
恩XP
24+
QFN64
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT457
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
-
23+
SOT-23-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEXPERIA/安世
2447
SOT457
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
恩XP
21+
2019PB
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
Nexperia/安世
22+
SOT457
60000
原厂原装正品现货
询价
NEXPERIA/安世
22+
SOT457
10990
原装正品
询价
NEXPERIA/安世
23+
SOT457
3000
交期准时服务周到
询价