PBSS8110Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS8110Z |
参数属性 | PBSS8110Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT223 |
功能描述 | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
文件大小 |
104.36 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-21 23:00:00 |
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PBSS8110Z规格书详情
General description
NPN low VCEsat transistor in a plastic SOT223 (SC-73) package.
Features
■ SOT223 package
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High efficiency, leading to less heat generation.
Applications
■ Major application segments:
◆ Automotive 42 V power
◆ Telecom infrastructure
◆ Industrial.
■ DC-to-DC converter
■ Peripheral driver
◆ Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
◆ Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).
产品属性
- 产品编号:
PBSS8110Z,135
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 250mA,10V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS NPN 100V 1A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
9048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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