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PBSS8110Z中文资料PDF规格书

PBSS8110Z
厂商型号

PBSS8110Z

参数属性

PBSS8110Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT223

功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

154.73 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

PBSS8110Z规格书详情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ High-voltage DC-to-DC conversion

■ High-voltage MOSFET gate driving

■ High-voltage motor control

■ High-voltage power switches (e.g. motors, fans)

■ Automotive applications

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS8110Z,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 250mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP(恩智浦)
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