PBSS9110D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS9110D |
| 参数属性 | PBSS9110D 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A 6TSOP |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-74 / SC-74，SOT-457 |
| 文件大小 |
302.68 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | PBSS9110D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS9110D规格书详情
PBSS9110D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS9110D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
更多- 产品编号：
PBSS9110D,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 100V 1A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT236 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
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恩XP |
24+ |
SOT-457 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
21+ |
2019PB |
880000 |
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恩XP |
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SOT23-6 |
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恩XP |
SOT23-6L |
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询价 | |||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT457 |
120000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT23-6L |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
