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PBSS8510PA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS8510PA
厂商型号

PBSS8510PA

参数属性

PBSS8510PA 封装/外壳为3-PowerUDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON

功能描述

100 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

AE

封装外壳

HUSON3 / 3-PowerUDFN

文件大小

290.47 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 18:23:00

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PBSS8510PA规格书详情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.

PNP complement: PBSS9410PA.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

■ Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity

■ Leadless small SMD plastic package with medium power capability

Applications

■ Loadswitch

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS8510PA,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    340mV @ 260mA,5.2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    95 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-PowerUDFN

  • 供应商器件封装:

    3-HUSON(2x2)

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON

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