PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS9110T |
| 参数属性 | PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
1.32234 Mbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-29 20:17:00 |
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PBSS9110T规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic
package.
NPN complement: PBSS8110T
2. Features and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation
3. Applications
• Major application segments
• Automotive 42 V power
• Telecom infrastructure
• Industrial
• DC/DC converters
• Peripheral drivers
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
产品属性
- 产品编号：
PBSS9110T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 100V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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