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PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS9110T

参数属性

PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO236AB

功能描述

100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor

丝印标识

U7

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.32234 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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PBSS9110T规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS8110T

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

• High collector current capability

• High collector current gain

• Improved efficiency due to reduced heat generation

3. Applications

• Major application segments

• Automotive 42 V power

• Telecom infrastructure

• Industrial

• DC/DC converters

• Peripheral drivers

• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS9110T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    320mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 1A TO236AB

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