PBSS9110T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS9110T |
参数属性 | PBSS9110T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A TO236AB |
功能描述 | 100 V, 1 A PNP low VCEsat transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
1.32234 Mbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-4 23:00:00 |
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PBSS9110T规格书详情
1. General description
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic
package.
NPN complement: PBSS8110T
2. Features and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation
3. Applications
• Major application segments
• Automotive 42 V power
• Telecom infrastructure
• Industrial
• DC/DC converters
• Peripheral drivers
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
产品属性
- 产品编号:
PBSS9110T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
320mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 100V 1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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