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IRGP4069	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low VCEon Trench IGBT in a TO-247 package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4069D-EPBF	文件：432.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits • 文件：432.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4069DPBF	文件：432.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits • 文件：432.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4069PBF	文件：357.75 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits • 文件：357.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4069DPBF	文件：301.33 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：301.33 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4069DPBF_15	文件：301.33 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：301.33 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRGP4069PBF	文件：260.51 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：260.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4069PBF_15	文件：260.51 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：260.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRGP4069D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low VCEon Trench Co-Pack IGBT with Ultra-Fast Soft Recovery Diode in a TO-247 package 600V 低 VCE(on) 沟槽栅 IGBT 与超快、超软恢复二极管联合封装到TO-247 封装中。 • 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术\n• 低开关损耗\n• 最高结温为 175 °C\n• 5µs 短路 SOA\n• 方形 RBSOA\n• 所有部件都经过 ILM 测试\n• 正 VCE(on) 温度系数\n• 参数分布更紧凑\n• 无铅\n\n优势:\n• 在广泛的应用领域都能发挥高效率\n• 由于 VCE (ON) 低且开关损耗低，所以适合在众多开关频率应用中使用\n• 强健的瞬态性能提升可靠性\n• 并联工作时电流共享表现出色;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP4069DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 76A TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
50.0A
IC(@25°) max：
76.0A
ICpuls max：
105.0A
Ptot max：
268.0W
VCE(sat) ：
1.6V
Eon ：
0.39mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.632mJ
td(on) ：
46.0ns
tr ：
33.0ns
td(off) ：
105.0ns
tf ：
44.0ns
QGate ：
96.0nC
Ets (max)：
1.02mJ (1.261mJ)
Switching Frequency ：
Gen 6.2 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGP4069	IR	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	IRGP4069	IR	22+	TO-247	18000	原装正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRGP4069	IOR	23+	TO-247	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRGP4069	IOR	23+	TO-247	7000		询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	IRGP4069D-EPBF	IR	1701+	TO-247	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市达恩科技有限公司	IRGP4069DPBF	Infineon	24+	NA	3318	进口原装正品优势供应	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	IRGP4069DPBF	INFINEON	24+	NA	785	原装现货,专业配单专家	询价
上海市鑫鸿达电子	IRGP4069PBF	International Rectifier	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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深圳市艾宇欣科技有限公司	IRGP4069D-EPBF	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价

更多IRGP4069供应商更新时间2025-11-3 14:05:00

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