IRG4IBC30UD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

600V IGBT 与超快8-60 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220 FullPak 封装中。

特性 Features

• 2.5kV, 60s 绝缘电压
• 至散热器的爬电距离为 4.8 mm
• 超快，经过优化的高达 8-40 kHz 的硬开关高工作频率
• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT
• 参数分布更紧凑
• 行业标准绝缘 TO-220 FullpakTM 封装类型
• 无铅

优势:
• 简化装配
• 高效率和功率密度
• HEXFREDTM 反并联二极管将开关损耗和 EMI 降至最低

应用 Application

• 照明氙气灯
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）
• 焊接

简介

IRG4IBC30UD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4IBC30UD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。