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IRG4IBC20FD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4IBC20FD |
| 参数属性 | IRG4IBC20FD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP |
| 功能描述 | 600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 19:10:00 |
| 人工找货 | IRG4IBC20FD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4IBC20FD规格书详情
描述 Description
600V IGBT 与 1-8 kHz 超快、超软恢复二极管联合封装到 TO-220 FullPak 封装中
特性 Features
• 压降非常低为1.66V
• 2.5kV, 60s 绝缘电压
• 至散热器的爬电距离为 4.8 mm
• 快速：对中等工作频率（硬开关1- 5khz，谐振模式 > - 20khz）进行了优化
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT
• 参数分布更紧凑
• 行业标准绝缘 TO-220 FullpakTM 封装类型
• 无铅
优势:
• 简化装配
• 高效率和功率密度
• HEXFREDTM 反并联二极管将开关损耗和 EMI 降至最低
应用 Application
• 家用空调
• 照明氙气灯
• 驱动器和泵
• 家用电器
简介
IRG4IBC20FD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4IBC20FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRG4IBC20FD
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
：1.0kHz 8.0kHz
- Package
：TO-220-3 FP
- Voltage Class max
：600.0V
- IC(@100°) max
：7.7A
- IC(@25°) max
：14.3A
- ICpuls max
：64.0A
- Ptot max
：34.0W
- VCE(sat)
：1.66V
- Eon
：0.25mJ
- Eoff(Hard Switching)
：0.64mJ
- td(on)
：43.0ns
- tr
：20.0ns
- td(off)
：240.0ns
- tf
：150.0ns
- QGate
：27.0nC
- IF max
：64.0A
- VF
：1.4V
- Qrr
：65.0nC
- Irrm
：3.5A
- Ets (max)
：0.89mJ (1.3mJ)
- VCE max
：600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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