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IRG4IBC20UD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4IBC20UD

参数属性

IRG4IBC20UD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

功能描述

600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package
IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IRG4IBC20UD规格书详情

应用 Application

·Lighting HID
·Pump
·Solar
·UPS
·Welding

简介

IRG4IBC20UD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4IBC20UD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4IBC20UD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-220-3 FP

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :6.0A

  • IC(@25°) max

    :11.4A

  • ICpuls max

    :52.0A

  • Ptot max

    :34.0W

  • VCE(sat) 

    :1.85V 

  • Eon 

    :0.16mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.13mJ 

  • td(on) 

    :39.0ns 

  • tr 

    :15.0ns 

  • td(off) 

    :93.0ns 

  • tf 

    :110.0ns 

  • QGate 

    :27.0nC 

  • IF max

    :52.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Qrr 

    :65.0nC 

  • Irrm 

    :3.5A 

  • Ets  (max)

    :0.29mJ (0.3mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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