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IRG4IBC20UD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4IBC20UD |
参数属性 | IRG4IBC20UD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP |
功能描述 | 600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IRG4IBC20UD规格书详情
应用 Application
·Lighting HID
·Pump
·Solar
·UPS
·Welding
简介
IRG4IBC20UD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4IBC20UD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4IBC20UD
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-220-3 FP
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:6.0A
- IC(@25°) max
:11.4A
- ICpuls max
:52.0A
- Ptot max
:34.0W
- VCE(sat)
:1.85V
- Eon
:0.16mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.13mJ
- td(on)
:39.0ns
- tr
:15.0ns
- td(off)
:93.0ns
- tf
:110.0ns
- QGate
:27.0nC
- IF max
:52.0A
- VF
:1.4V
- Qrr
:65.0nC
- Irrm
:3.5A
- Ets (max)
:0.29mJ (0.3mJ)
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
624 |
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IR |
23+ |
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IR |
23+ |
TO-220 |
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IR |
24+ |
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IR |
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TO-220F |
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