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IRG4BC30UPBF	文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：587.53 Kbytes Page：8 Pages	UltraFastSpeedIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Bene	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30US	文件：308.22 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U-S	文件：308.22 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Generati	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U-SPBF	文件：392.64 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardD2Pakpackage •Lead-Free Benefit	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30W	文件：180.68 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50%reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4BC30WPBF	文件：582.54 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30WPBF	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30WS	文件：188.51 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.10V,@Vge=15V,Ic=12A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRG4BC30KDSTRRP
功能描述：
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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