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IRG4BC30U-S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4BC30U-S |
| 参数属性 | IRG4BC30U-S 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
308.22 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 22:59:00 |
| 人工找货 | IRG4BC30U-S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4BC30U-S规格书详情
Features
• UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
• Industry standard D2Pak package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC30U-S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
160µJ（开），200µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/78ns
- 测试条件：
480V，12A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3400 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
04+ |
TO-263 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR/FSC |
23+ |
TO-263 |
9500 |
专业优势供应 |
询价 | ||
IR |
07+ |
TO-263 |
1600 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
1816+ |
TO-263 |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
20000 |
询价 |
