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IRFU9120N	文件：1.94065 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU9120NPBF	文件：262.32 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48廓 , ID = -6.6A ) HEXFET®PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU9120NPBF	文件：3.85223 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET HEXFET®PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：3.87272 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE HEXFET®PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：2.42167 Mbytes Page：4 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
9120	文件：86.3 Kbytes Page：1 Pages	INSTRUMENTATIONHANDLES	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
9120A	文件：441.69 Kbytes Page：8 Pages	40A200VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9120A	文件：800.12 Kbytes Page：3 Pages	ProgrammableDCPowerSupplies	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
9120GH	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
9120GJ	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
ADS9120	文件：1.65286 Mbytes Page：64 Pages	16-Bit,2.5-MSPS,15.5-mW,SARADC	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ADS9120IRGER	文件：1.65286 Mbytes Page：64 Pages	16-Bit,2.5-MSPS,15.5-mW,SARADC	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ADS9120IRGET	文件：1.65286 Mbytes Page：64 Pages	16-Bit,2.5-MSPS,15.5-mW,SARADC	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AG9120-S	文件：299.42 Kbytes Page：14 Pages	Power-Over-EthernetModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AOP-9120	文件：683.25 Kbytes Page：2 Pages	12.1??IntelAtomProcessor-BasedOperatorPanelPC	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
AP9120AGH-HF	文件：67.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9120GH-HF	文件：68.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9120GH-HF	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9120GHJ-HF	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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详细参数

型号：
IRFU9120N
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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