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IRFU2905Z

AUTOMOTIVE MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 14.5mΩ ID = 42A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction ope

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IRF

IRFU2905Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:247.71 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFU2905Z

Advanced Process Technology

文件:4.20454 Mbytes 页数:11 Pages

KERSEMI

IRFU2905ZPBF

HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5m廓 , ID = 42A )

VDSS = 55V RDS(on) = 14.5mΩ ID = 42A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction ope

文件:278.12 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFU2905ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件:4.26084 Mbytes 页数:11 Pages

KERSEMI

IRFU2905Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFU2905Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多IRFU2905Z供应商 更新时间2026-1-29 11:04:00