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IRFU120Z	文件：4.26012 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.26012 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU120ZPBF	文件：263.99 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：263.99 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU120ZPBF	文件：4.27158 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.27158 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU120ZPBF	文件：4.26012 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.26012 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU1205	文件：246.49 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：246.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU1205PBF	文件：995.84 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：995.84 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFU120A	文件：397.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：397.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU120ATU	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Rugged Technology 文件：258.5 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFU120N	文件：3.73792 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount (IRFR120N) 文件：3.73792 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU120N	文件：247.26 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package ：
IPAK (TO-251)
VDS max：
55.0V
RDS (on)(@10V) max：
27.0mΩ
RDS (on) max：
27.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
31.0A
ID max：
37.0A
ID (@ TC=25°C) max：
44.0A
Ptot max：
69.0W
QG ：
43.3nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
18.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
RthJC max：
1.8K/W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFU120供应商更新时间2026-1-30 14:31:00

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