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IRFU120NPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.08076 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFU120PBF

Power MOSFET

文件:838.17 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFU120PBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27廓 , ID = 7.7A )

文件:2.12101 Mbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFU120Z

丝印:IPAK;Package:TO-251;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:247.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFU1205

采用 I-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRFU120ATU

MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Package :

    IPAK (TO-251)

  • VDS max:

    55.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    27.0mΩ

  • RDS (on) max:

    27.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    31.0A

  • ID  max:

    37.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    44.0A

  • Ptot max:

    69.0W

  • QG :

    43.3nC 

  • Mounting :

    THT

  • Qgd :

    18.0nC 

  • Tj max:

    175.0°C

  • VGS max:

    20.0V

  • RthJC max:

    1.8K/W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFU120供应商 更新时间2026-1-30 16:30:00