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IRFR9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9010	文件：308.04 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9010	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9010	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFR9010PBF	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9010PBF	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9010TRLPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9010	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9010	文件：283.14 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU9010	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFU9010PBF	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
LB9010A	文件：589.84 Kbytes Page：1 Pages	ProtectiveCoverforTerminalBlocks	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福（北京）过程自动化倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司	PF
M9010A	文件：2.71089 Mbytes Page：16 Pages	InterfaceModulesandAdaptersforPXIe	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
M9010A	文件：2.05861 Mbytes Page：13 Pages	M9010APXIeChassis	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
M9010A	文件：6.4329 Mbytes Page：25 Pages	M9336APXIeI/QArbitraryWaveformGenerator	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
MAX9010	文件：330.45 Kbytes Page：12 Pages	SC70,5ns,Low-Power,Single-Supply,PrecisionTTLComparators GeneralDescription TheMAX9010/MAX9011/MAX9013singleandMAX9012dual,high-speedcomparatorsoperatefromasingle4.5Vto5.5Vpowersupplyandfeaturelow-currentconsumption.TheyhaveprecisiondifferentialinputsandTTLoutputs.Theyfeatureshortpropagationdelay(5ns,typ),low-supp	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX9010EXT-T	文件：330.45 Kbytes Page：12 Pages	SC70,5ns,Low-Power,Single-Supply,PrecisionTTLComparators GeneralDescription TheMAX9010/MAX9011/MAX9013singleandMAX9012dual,high-speedcomparatorsoperatefromasingle4.5Vto5.5Vpowersupplyandfeaturelow-currentconsumption.TheyhaveprecisiondifferentialinputsandTTLoutputs.Theyfeatureshortpropagationdelay(5ns,typ),low-supp	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
N9010A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
N9010A	文件：2.65404 Mbytes Page：22 Pages	EXAX-SeriesSignalAnalyzerN9010A	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT

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详细参数

型号：
IRFR9010TRPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFR9010TRPBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRFR9010TRPBF	IR		TO252	7906200		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFR9010TRPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-252	9203	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳好佳好科技有限公司	IRFR9010TRPBF	IR	1305+	SOT252	12000		询价
深圳市达恩科技有限公司	IRFR9010TRPBF	Vishay	18+	NA	3000	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	IRFR9010TRPBF	IR	19+	TO-252	75044	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRFR9010TRPBF	IR	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	IRFR9010TRPBF	IR	2023+	TO-252	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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更多IRFR9010TRPBF供应商更新时间2024-6-3 17:09:00

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