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IRFR120NTR	文件：536.66 Kbytes Page：7 Pages	The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,infraredor wave soldering techniques. Features VDS (V) = 100V ID = 9.4A (VGS = 10V) RDS(ON) =210mW (VGS = 10V) 文件：536.66 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRFR120NTR	文件：466.21 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,infraredor wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. Features VDS (V) = 100V ID = 9.4A (VGS = 10V) RDS(ON) =210mW (VGS = 10V) 文件：466.21 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRFR120NTRPBF	文件：979.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：979.62 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR120NTRRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：249.71 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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