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LB1205	文件：76.37 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage,Large-CurrentDarlingtonDriver Overview TheLB1205isa4-unit,highwithstandvoltage(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriverarraywithinputlowactiveconfigurationandsyncoutput. Features •4-unit,highwithstandvoltagedesign(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriver. •PNPinputtype(lowactive). •On-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LB1205L-E	文件：76.37 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage,Large-CurrentDarlingtonDriver Overview TheLB1205isa4-unit,highwithstandvoltage(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriverarraywithinputlowactiveconfigurationandsyncoutput. Features •4-unit,highwithstandvoltagedesign(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriver. •PNPinputtype(lowactive). •On-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LB1205M	文件：75.96 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage,Large-CurrentDarlingtonDriver	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LB1205Z-E	文件：76.37 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage,Large-CurrentDarlingtonDriver Overview TheLB1205isa4-unit,highwithstandvoltage(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriverarraywithinputlowactiveconfigurationandsyncoutput. Features •4-unit,highwithstandvoltagedesign(65V),large-current(1.5A)Darlingtondriver. •PNPinputtype(lowactive). •On-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LB1205Z-E	文件：82.04 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage,Large-CurrentDarlingtonDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LCE1205	文件：1.06179 Mbytes Page：9 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM1205	文件：1.22432 Mbytes Page：9 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM1205	文件：435.35 Kbytes Page：24 Pages	130MHz/85MHzRGBVideoAmplifierSystemwithBlanking	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM1205A	文件：1.09099 Mbytes Page：26 Pages	130MHz/85MHzRGBVideoAmplifierSystemwithBlanking	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM1205N	文件：435.35 Kbytes Page：24 Pages	130MHz/85MHzRGBVideoAmplifierSystemwithBlanking	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
IRFR1205TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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