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IRFPE40	文件：1.48753 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.48753 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPE40	文件：168.26 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A) 文件：168.26 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFPE40	文件：272.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：272.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFPE40	文件：835.87 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：835.87 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPE40PBF	文件：1.48753 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.48753 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPE40_V01	文件：835.87 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：835.87 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPE40PBF	文件：885.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：885.17 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPE40PBF	文件：835.87 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：835.87 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPE40	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFPE40
功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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