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IRFP460P	文件：174.81 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A) Description ThirdGenerationHEXFET®sfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevel	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460PBF	文件：881.77 Kbytes Page：7 Pages	Dynamic dv/dt Rating, Repetitive Avalanche Rated, Isolated Central Mounting Hole, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements, Lead	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460PBF	文件：135.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP460PBF	文件：1.27629 Mbytes Page：6 Pages	20A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply. Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-3P	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP460PBF	文件：1.96169 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 500V (D-S) Super Junction Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFP460PBF	文件：203.58 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFV460	文件：258.6 Kbytes Page：10 Pages	REPETITIVEAVALANCHERATEDANDdv/dtRATED	IRF International Rectifier	IRF
IRFV460	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRP460A	文件：144.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRP460APBF	文件：144.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP460P
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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