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IRFM360	文件：372.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFM360	文件：514.669 Kbytes Page：7 Pages	400V, N-CHANNEL HEXFET MOSFETTECHNOLOGY HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360_15	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：55.31 Kbytes Page：7 Pages	23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP360	文件：164.15 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：50.32 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET Features •Fastswitchingtimes •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutingdv/dtrating Applications •DCchoppers •MotorControls •Switch-modeandresonant-mode •Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) •FastSwitching DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
IRFM360
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 23A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 35A, TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
35A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
200mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
3;RoHS
Compliant：
No

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