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IRFI624B	文件：666.45 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：666.45 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFI624B	文件：300 bytes Page：1 Pages	250V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFI624G	文件：170.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.4A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：170.86 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI624G	文件：1.38544 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.38544 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI624GPBF	文件：289.53 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：289.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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京海半导体(深圳)有限公司	IRFI624BTU	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-262	10000	原装现货假一罚十	询价
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