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IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRR	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：173.15 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRRPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology VDSS = -100V RDS(on) = 0.20Ω ID = -14A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：823.61 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF9530NSTR
功能描述：
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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