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IRF9530SPBF	文件：1.00929 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET FEATURES • Surface Mount • Available in Tape And Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Lead-Free 文件：1.00929 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9530STRLPBF	文件：175.84 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It pro 文件：175.84 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9530-220M	文件：18.47 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：18.47 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9530N	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor 文件：335.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9530NPBF	文件：231.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：231.44 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9530NPBF_15	文件：231.44 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：231.44 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSPBF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：823.61 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSPBF_15	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：767.31 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：823.61 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Package：
TO-220AB
Ch：
P
VDS (V)：
-100
VGS (V)：
20
RDS(on)@10V (Ω)：
0.3
Qg @10V (nC)：
38
Qgs (nC)：
6.8
Qgd (nC)：
21
ID Max. (A)：
-12
PD Max. (W)：
88
VGS(th) Min. (V)：
-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF9530供应商更新时间2025-10-4 13:00:00

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