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IRF840B	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840B	文件：200.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840B	文件：291.06 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840B	文件：1.63771 Mbytes Page：9 Pages	Low gate charge ( typical 41 nC)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF840B	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840B	文件：908.03 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
IRF840B
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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