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IRF840B	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：911.1 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840B	文件：291.06 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：291.06 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840B	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：168 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840B	文件：200.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Mosfet Transistor 文件：200.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF840B	文件：1.63771 Mbytes Page：9 Pages	Low gate charge ( typical 41 nC) 文件：1.63771 Mbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF840B	文件：908.03 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：908.03 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840B_05	文件：908.03 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：908.03 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF840B_V01	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：168 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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IRF840BPBF-BE3	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：168 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRF840B
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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