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IRF830	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF830	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF830	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	POWER MOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF830	文件：355.59 Kbytes Page：16 Pages	High Power Factor/Low THD	IRF International Rectifier	IRF
IRF8301MPBF	文件：344.2 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description TheIRF8301MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachieveverylowon-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8oraPQFN5x6mmandonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithe	IRF International Rectifier	IRF
IRF8301MTRPBF	文件：344.2 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description TheIRF8301MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachieveverylowon-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8oraPQFN5x6mmandonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithe	IRF International Rectifier	IRF
IRF8302MPBF	文件：274.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Description TheIRF8302MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFET®packagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFET®packageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF8304MPBF	文件：279.56 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant and Halogen Free Description TheIRF8304MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFET®packagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFET®packageiscompatiblewithexistinglay	IRF International Rectifier	IRF
IRF8306MPBF	文件：280.52 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Description TheIRF8306MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF8306MTRPBF	文件：280.52 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Description TheIRF8306MPbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF830
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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