| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Trench Technology 文件：175.47 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：173.71 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：179.21 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Trench Technology 文件：179.21 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：179.21 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Trench Technology 文件：179.21 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -20V \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 纤薄外形（小于1.1毫米）\n• 双 P 通道 MOSFET; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V ) | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
2000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
30V
- Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
- Material：
Si
- Configuration：
Single Dual Drain
- Channel Type：
P
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
F |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 | |||
IOR |
23+ |
SO-8 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
1251 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
25+ |
SOP-8 |
3500 |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
询价 | ||
IR |
05/06+ |
SOP8 |
203 |
全新原装100真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 |
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更新时间2026-1-27 13:30:00
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