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IRF7321D2	文件：154.47 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET & Schottky Diode	IRF International Rectifier	IRF
IRF7321D2PBF	文件：208.87 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET & Schottky Diode	IRF International Rectifier	IRF
IRF7321D2PBF	文件：214.46 Kbytes Page：8 Pages	Ideal For Buck Regulator Applications	IRF International Rectifier	IRF
IRF7321D2PBF_15	文件：214.46 Kbytes Page：8 Pages	Ideal For Buck Regulator Applications	IRF International Rectifier	IRF
IRF7321D2TRPBF	文件：1.10112 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7322D1	文件：174.01 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )	IRF International Rectifier	IRF
IRF7322D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V );	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7322D1PBF	文件：188.85 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 纤薄外形（小于1.1毫米）\n• 双 P 通道 MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7324PBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
30V
Maximum Continuous Drain Current：
4.7A
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Drain
Channel Type：
P
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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