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IRF732	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF732	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF732	文件：65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF7324	文件：104.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description NewtrenchHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324	文件：365.27 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7324；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ●TrenchTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●LowProfile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7324D1	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324D1PBF	文件：134.21 Kbytes Page：8 Pages	FETKY?줞OSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324D1TR	文件：164.18 Kbytes Page：8 Pages	FETKY MOSFET / Schottky Diode Description TheFETKYfamilyofco-packagedHEXFETsandSchottkydiodesofferthedesigneraninnovativeboardspacesavingsolutionforswitchingregulatorapplications.Generation5HEXFETsutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Combining	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324PBF	文件：164.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) Description NewtrenchHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi	IRF International Rectifier	IRF
IRF7324TR	文件：365.27 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7324；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ●TrenchTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●LowProfile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
IRF732
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
FETKY™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	IRF732	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF732	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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