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IRF7322D1

MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )

文件:174.01 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF7322D1

MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )

Infineon

英飞凌

IRF7322D1PBF

FETKY MOSFET / Schottky Diode

文件:188.85 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF7324TRPBF

INFINEON/英飞凌
SOP-8

INFINEON/英飞凌

IRF7328TRPBF

INFINEON/英飞凌
SOP-8

INFINEON/英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF7322D1

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    FETKY™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多IRF7322D1供应商 更新时间2025-10-4 17:06:00