IRF6636中文资料采用 DirectFET ™ ST 封装的 20V 单 N 通道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF6636规格书详情
描述 Description
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。
特性 Features
• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
• 产品符合 JEDEC 标准
• 高额定电流
• 双面冷却能力
• 封装高度低至 0.7 毫米
• 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
• 100% 无铅（无 RoHS 豁免）
技术参数
- 制造商编号
：IRF6636
- 生产厂家
：Infineon
- Ptotmax
：42 W
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.2 W
- Qgd
：6.1 nC
- QG(typ @4.5V)
：18 nC
- RDS (on)(@10V) max
：4.5 mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：6.4 mΩ
- RthJCmax
：3 K/W
- Tjmax
：150 °C
- VDSmax
：20 V
- VGS(th)
：2 V
- VGSmax
：20 V
- Mounting
：SMD
- Package
：DirectFET (S)
- Operating Temperature
：-40 °C to 150 °C
- Micro-stencil
：IRF66ST-25
- Polarity
：N
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Budgetary Price €/1k
：0.67
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA |
1939 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
NA |
SMD |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-5 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
MG-WDSON-5 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
IR |
24+ |
SMD |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
2006 |
SMD |
985 |
现货库存/价格优惠热卖 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric ST |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SMD |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
