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IRF5N5210

POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-31A)

HEXFET® POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desi

文件:118.47 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF5N5210

Avalanche Energy Ratings

文件:176.86 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF5N5210

HiRel MOSFETs

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Infineon

英飞凌

IRF5N5210_15

Avalanche Energy Ratings

文件:176.86 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRF5N5210SCV

HiRel MOSFETs

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Infineon

英飞凌

IRF5N5210SCX

Single channel high reliability power MOSFETs

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRF5N5210

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 100V 31A 3-Pin SMD-1

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET P-CH 100V 31A 3SMD-1 - Bulk

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更多IRF5N5210供应商 更新时间2025-10-11 10:20:00