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IRF550	文件：261.72 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175°COperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF550A	文件：261.72 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175°COperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF550A	文件：280.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI550A	文件：267.03 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175OperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI550A	文件：274.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS550A	文件：264.83 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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IRFWI550A	文件：266.47 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRF550
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

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