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IRF550A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

IRF550A
厂商型号

IRF550A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

261.72 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-8 15:01:00

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IRF550A规格书详情

FEATURES

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

175°C Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10µA (Max.) @ VDS= 100V

Lower RDS(ON) : 0.032Ω(Typ.)

产品属性

  • 型号:

    IRF550A

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel A-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2447
TO-220
100500
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IR
22+
TO-220
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23+
TO-220
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24+
TO-220AB-3
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22+
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23+
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TO-220
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TO-220
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