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IRF540NSPBF_15	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF540NSTRLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF540NSTRR	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF540NSTRRPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF540N	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF540NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF540NS	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRF540N供应商更新时间2026-1-21 11:04:00