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IRF540N_18	文件：338.1 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540NL	文件：274.28 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF540NLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NLPBF	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NPBF	文件：159.02 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NPBF_15	文件：159.02 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NS	文件：274.28 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NS	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF540NS_05	文件：274.28 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

OPN：
IRF540NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
44 mΩ
ID @25°C max：
33 A
QG typ @10V：
47.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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