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IRF3805SPBF	文件：417.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 3.3mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper 文件：417.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF3805LPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：394.62 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF3805PBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：394.62 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF3805S	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3805S-7PPBF_15	文件：346.28 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：346.28 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3805SLPBF	文件：394.62 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：394.62 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF3805LPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET VDSS = 55V\nRDS(on) = 3.3mΩ\nID = 75ADescription\nSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperat Advanced Process Technology\nUltra Low On-Resistance\n175°C Operating Temperature\nFast Switching\nRepetitive Avalanche Allowed up to Tjmax\nLead-Free;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF3805PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
3.3 mΩ
ID @25°C max：
210 A
QG typ @10V：
190 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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