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IRF3708L	文件：138.88 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converters for Comput 文件：138.88 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3708L	文件：1.2382 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converters for Comput 文件：1.2382 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF3708L	文件：147.91 Kbytes Page：11 Pages	High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 文件：147.91 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3708LPBF	文件：283.45 Kbytes Page：11 Pages	High Frequency DC-DC Isolated Converters 文件：283.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3708LPBF	文件：282.49 Kbytes Page：11 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰Power MOSFET 文件：282.49 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF3708L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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