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IRF3709S	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709SPBF	文件：227.68 Kbytes Page：11 Pages	SMPS MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709SPBF	文件：236.65 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Buck Converters for Server Processor Power Synchronous FET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
3709	文件：29.61 Kbytes Page：2 Pages	050RoundConductorFlatCable	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
3709-BA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3709-CA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AS3709	文件：930.68 Kbytes Page：74 Pages	關PMICwith5DCDCand2LDOs	AMSCO austriamicrosystems AG	AMSCO
IIRF3709	文件：339 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF3709Z	文件：339.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFR3709Z	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFR3709ZC	文件：337.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3709	文件：339 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3709	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=9.0mohm,Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709L	文件：121.99 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)max=9.0mohm,Id=90A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709LPBF	文件：227.68 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709LPBF	文件：236.65 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyBuckConvertersforServerProcessorPowerSynchronousFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709PBF	文件：227.68 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersf	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709PBF	文件：236.65 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencyBuckConvertersforServerProcessorPowerSynchronousFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF3709Z	文件：339.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3709Z	文件：334.04 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuck ConvertersforComputerProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRF3709S
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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