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IRF1018E	文件：339.11 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1018EPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Switching 文件：429.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018ESLPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Switching 文件：429.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018ESPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Switching 文件：429.6 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018EPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：435.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018EPBF_15	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：435.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018ES	文件：299.96 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1018ESLPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：435.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018ESPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：435.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1018E	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1018EPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
8.4 mΩ
ID @25°C max：
79 A
QG typ @10V：
46 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF1018E供应商更新时间2025-12-15 11:04:00

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