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IRF1018ESLPBF
厂商型号

IRF1018ESLPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

429.6 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 20:00:00

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IRF1018ESLPBF规格书详情

Benefits

● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Applications

● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

● Uninterruptible Power Supply

● High Speed Power Switching

● Hard Switched and High Frequency Circuits

产品属性

  • 型号:

    IRF1018ESLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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