IRF1018E中文资料60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书
IRF1018E规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
• Industry standard through-hole power package
• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
• Capable of being wave soldered
技术参数
- 制造商编号
：IRF1018E
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF1018EPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：TO220
- VDS max
：60 V
- RDS (on) @10V max
：8.4 mΩ
- ID @25°C max
：79 A
- QG typ @10V
：46 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220AB |
209 |
询价 | |||
IR |
TO-220 |
5450 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-220 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
26976 |
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IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
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询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220AB |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
