IRC530PBF数据表ic资料批发采购英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRC530PBF>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRC530PBF	文件：1.30865 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：1.30865 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRC530PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF530	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：157.16 Kbytes 页数：2 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
IRF530	文件：481.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 14 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.140 Ω 文件：481.96 Kbytes 页数：5 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF530	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS 文件：354.18 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

详细参数

型号：
IRC530PBF
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	IRC530PBF	VISHAY	25+	TO220-5	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC530PBF	Vishay Siliconix	22+	TO2205	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IRC530PBF	Vishay Siliconix	2022+	TO-220-5	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRC530PBF	IR	23+	TO-220-5	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRC530PBF	IR	23+	TO-220-5	7000		询价
深圳市旺财半导体有限公司	IRC530PBF	Vishay	25+		66880	原装正品，欢迎询价	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRC530其他被动元件	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRC540	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRC540	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRC540	ir	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价

更多IRC530PBF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号