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IRC644	文件：225.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) HEXFET®PowerMOSFET ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●CurrentSense ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF644	文件：900.35 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF644	文件：173.37 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicat	IRF International Rectifier	IRF
IRF644	文件：1.64378 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644	文件：123.93 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=240mohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF644	文件：205.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF644	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF644	文件：154.67 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644A	文件：228.57 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF644A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
IRC644
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRC644	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市弘为电子有限公司	IRC644	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	IRC644	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRC644	IR	21+	TO-220	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多IRC644供应商更新时间2025-7-24 16:30:00

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